[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供一种半导体装置，其是具备自举二极管和限流电阻的半导体装置，能够抑制限流电阻的电阻值的精度降低。其中，限流电阻(2)隔着绝缘膜(15)而在深度方向上与自举二极管(1)的p型阳极区(13)对置。限流电阻(2)由作为多晶硅电阻的多晶硅层(21～24)、以及与限制电阻电极(17b)之间的连接部即多晶硅连接部(20)构成。多晶硅层(21～24)配置于比多晶硅连接部(20)更靠外侧的位置，每个多晶硅层的一个端部与多晶硅连接部(20)连结，在另一个端部侧的部分介由接触孔(18b)而与阳极电极(17a)接触。另外，多晶硅层(21～24)均等地配置于与多晶硅连接部(20)之间的连结部位和接触孔(18b)之间。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第二导电型的第一半导体区，选择性地设置于第一导电型的半导体基板的正面的表面层；第一导电型的第二半导体区，是所述半导体基板的除所述第一半导体区以外的部分；自举二极管，由所述第一半导体区与所述第二半导体区的pn结形成；绝缘层，覆盖所述半导体基板的正面；多晶硅层，设置于所述绝缘层的内部，并隔着所述绝缘层而与所述第一半导体区对置；第一电极，与所述第一半导体区和所述多晶硅层电接触；第二电极，与所述多晶硅层电接触；以及第三电极，设置于所述半导体基板的背面，并与所述第二半导体区接触，所述第一电极与所述第一半导体区之间的第一接触部配置为包围所述多晶硅层的周围的环状，在比所述第一接触部的环更靠内侧的位置，相对于所述第一接触部的环，均匀地配置有所述第一电极与所述多晶硅层之间的第二接触部，在比所述第二接触部更靠内侧的位置，相对于所述第二接触部，均匀地配置有所述第二电极与所述多晶硅层之间的第三接触部。