[发明专利]具有机械去耦的微集成封装MEMS传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201910111877.0 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN110040677A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | A·皮科 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00;G01L9/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及具有机械去耦的微集成封装MEMS传感器及其制造方法。微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器层 盖帽层 气隙 半导体材料 集成封装 穿通 去耦 外周 延伸 绝缘层 集成传感器 绝缘层形成 绝缘层延伸 流体路径 敏感元件 保护层 穿通孔 堆叠 制造 容纳 | ||
【主权项】：
1.一种微集成传感器，包括：堆叠，具有第一表面和第二表面，所述堆叠包括：传感器层，在所述第一表面处，所述传感器层包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述传感器层包括围绕中心部分的外周部分，所述中心部分包括容纳敏感元件的平台；盖帽层，在所述第二表面处，所述盖帽层包括外周部分和中心部分，所述盖帽层的所述中心部分包括多个穿通孔；绝缘层，位于所述盖帽层的外周部分和所述传感器层的外周部分之间；气隙，位于所述盖帽层和所述传感器层的中心部分之间；以及多个穿通沟槽，在所述传感器层的所述中心部分中，所述多个穿通沟槽从所述第一表面延伸穿过所述传感器层到所述第二表面，所述多个穿通沟槽一起完全围绕容纳所述传感器层的所述敏感元件的所述平台，所述多个穿通沟槽中的每个穿通沟槽具有在所述多个穿通沟槽中的相邻一个穿通沟槽的相对侧上延伸的部分，其中所述多个穿通孔、所述气隙和所述多个穿通沟槽形成去往所述敏感元件的流体路径。
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