[发明专利]半导体封装有效
申请号: | 201910095219.7 | 申请日: | 2019-01-30 |
公开(公告)号: | CN110120388B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 金容勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10B80/00 | 分类号: | H10B80/00;H01L23/48;H01L23/482 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种半导体封装,包括:封装基板;封装基板上的逻辑芯片;封装基板上的存储器堆叠结构,包括沿第一方向堆叠的第一导体芯片和第二半导体芯片;以及封装基板和存储器堆叠结构之间的第一凸块。逻辑芯片和存储器堆叠结构沿着与第一方向交叉的第二方向在封装基板上间隔开。第一半导体芯片包括:电连接到第二半导体芯片的穿通孔、连接到穿通孔的芯片信号焊盘、以及电连接到芯片信号焊盘且具有与第一凸块接触的边缘信号焊盘的第一再分布层。沿第二方向的逻辑芯片和边缘信号焊盘之间的距离小于逻辑芯片和芯片信号焊盘之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装,包括:封装基板;所述封装基板上的逻辑芯片;所述封装基板上的存储器堆叠结构,所述存储器堆叠结构包括第一半导体芯片、以及沿第一方向堆叠在所述第一半导体芯片上的第二半导体芯片,所述存储器堆叠结构沿第二方向与所述逻辑芯片间隔开,所述第二方向与所述第一方向交叉;以及所述封装基板与所述存储器堆叠结构之间的第一凸块,其中,所述第一半导体芯片包括:穿通孔,电连接到所述第二半导体芯片;芯片信号焊盘,连接到所述穿通孔;以及第一再分布层,电连接到所述芯片信号焊盘,并具有与所述第一凸块接触的边缘信号焊盘,其中,沿所述第二方向,所述逻辑芯片与所述边缘信号焊盘之间的距离小于所述逻辑芯片与所述芯片信号焊盘之间的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910095219.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。