[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201910094361.X | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110890379B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 大川隆圣 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第1膜，包含在第1方向隔开并沿与第1方向交叉的第2、3方向延伸的多个电极层；多个第1柱状部，设置在第1膜内，包含电荷累积层及第1半导体层，具有沿第1方向延伸的柱状形状。装置具备：第2膜，设置在第1膜上，包含在第1方向隔开并沿第2、3方向延伸的多个电极层；多个第2柱状部，在第2膜内设置在第1柱状部上，包含第2半导体层，具有沿第1方向延伸的柱状形状。装置具备多个第1绝缘膜，多个第1绝缘膜在第2膜内与第2柱状部在第3方向隔开，沿第1、2方向延伸；第1柱状部在第1绝缘膜间的区域下方配置成三角形的格子状，在第1绝缘膜下方配置成正方形或长方形的格子状。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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