[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910094360.5 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN110808332B | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 山川晃司 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体存储装置包含：第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面且包含绝缘体；及第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面且包含含碳的导电体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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