[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包含：

第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；

相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；

第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面且包含绝缘体；及

第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面且包含含碳的导电体。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜的面内方向的导热度大于膜厚方向的导热度。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜含碳。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜含类钻碳。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中

所述第2膜含石墨。

6.一种半导体存储装置，包含：

第1电极及第2电极，在第1方向上对向配置；

相变化膜，设置在这些第1电极及第2电极之间；

第1膜，设置在所述相变化膜的与所述第1方向交叉的第2方向的侧面；及

第2膜，隔着所述第1膜设置在所述相变化膜的所述第2方向的侧面；

所述第1膜包含绝缘体，

所述第2膜包含面内方向的导热度大于膜厚方向的导热度的导电体。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜含碳。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中

所述第1膜含类钻碳。

9.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述第2膜含碳。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中

所述第2膜含石墨。

11.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中

所述第2膜是金属膜或金属化合物膜与绝缘膜的积层体。

12.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其包括第1配线及第2配线，所述第1配线及第2配线之间介置所述第1电极、所述相变化膜及所述第2电极而形成电流路径，

所述第2膜与所述第1配线或所述第2配线连接。

13.一种半导体存储装置，包含：

第1配线，在第1方向上延伸；

第2配线，在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸；

第3配线，与所述第2配线在所述第1方向上相邻，且在所述第2方向上延伸；

第1积层体，设置在所述第1配线与所述第2配线之间，且包含第1电阻变化层及第1电极；

第2积层体，设置在所述第1配线与所述第3配线之间，且包含第2电阻变化层及第2电极；

第1膜，设置在所述第1积层体与所述第2积层体之间，且与所述第1积层体相接；及

第2膜，设置在所述第2积层体与所述第1膜之间，与所述第1膜相接且包含含碳的导电体。

14.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其还包含：

第3膜，设置在所述第2积层体与所述第2膜之间，且与所述第2积层体相接；

及

第4膜，设置在所述第3膜与所述第2膜之间，与所述第3膜相接且包含含碳的导电体。

15.根据权利要求14所述的半导体存储装置，其还包含绝缘层，所述绝缘层设置在所述第2膜与所述第4膜之间。

16.根据权利要求13所述的半导体存储装置，其中

所述第1积层体包含第1选择器，所述第2积层体中包含第2选择器。