[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910085556.8 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110911498B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 山下博幸;森伸二;泽敬一;松尾和展;松田和久;斋藤雄太;高桥笃史;田中正幸 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 夏斌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 实施方式提供一种可靠性提高了的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体层；栅极电极；第1绝缘层，设置于半导体层与栅极电极之间；第2绝缘层，设置于第1绝缘层与栅极电极之间；区域，设置于第1绝缘层与第2绝缘层之间，且包含金属或半导体；以及覆盖层，包围区域，且包含硅以及氮。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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