[发明专利]用于半导体工艺的方法在审
| 申请号： | 201910085479.6 | 申请日： | 2019-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN110556339A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 余德伟;陈建豪;梁品筑;杨仪辰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于半导体工艺的方法，此处所述的实施例一般关于形成栅极层于高深宽比的沟槽中的方法，其采用循环沉积‑处理工艺。在一实施例中，方法包括对具有至少一结构的基板表面进行膜沉积工艺以形成顺应膜，且顺应膜形成于结构的下表面上并沿着结构的多个侧壁表面；对基板表面进行处理工艺，以形成个别的卤素表面层或个别的卤素封端层于侧壁表面的个别上侧部分上的顺应膜上；以及按序重复进行膜沉积工艺与处理工艺，以将顺应膜填入结构。 | ||
| 搜索关键词： | 处理工艺 侧壁表面 膜沉积 半导体工艺 高深宽比 基板表面 循环沉积 表面层 对基板 膜形成 下表面 栅极层 封端 膜填 重复 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体工艺的方法，包括：/n对具有至少一结构的一基板表面进行一膜沉积工艺以形成一顺应膜，且该顺应膜形成于该结构的一下表面上并沿着该结构的多个侧壁表面；/n对该基板表面进行一处理工艺，以形成个别的卤素表面层或个别的卤素封端层于该些侧壁表面的个别上侧部分上的该顺应膜上；以及/n按序重复进行该膜沉积工艺与该处理工艺，以将该顺应膜填入该结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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