[发明专利]制造氧化物膜的设备和方法及包括该氧化物膜的显示设备有效
申请号: | 201910068162.1 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN110164753B | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 朴在润;朴宰铉;朴琪勋;尹弼相 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/02;H01L27/12;H10K59/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了一种制造氧化物膜的设备和方法及包括该氧化物膜的显示设备。其中包括具有不同蒸气压的多个有机金属的氧化物膜形成在基板上并且具有均匀的成分和厚度。该制造氧化物膜的设备包括:下部腔室;基座;腔室盖,其包括第一气体注入口和一个或多个第二气体注入口;气体分配模块;第一源容器模块,其连接至第一气体注入口,用于提供具有第一蒸气压的第一源气体;第一载气供应模块,其给第一源容器模块供应第一载气;第二源容器模块,其连接至第一气体注入口,用于提供具有与第一蒸气压不同的第二蒸气压的第二源气体;推动气体供应模块,其给第二源容器模块与第一气体注入口之间的气体通路供应推动气体;反应气体供应模块;和吹扫气体供应模块。 | ||
搜索关键词: | 制造 氧化物 设备 方法 包括 显示 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造氧化物膜的设备,所述设备包括:下部腔室,所述下部腔室包括反应空间;基座,所述基座安装在所述反应空间中以支撑基板;腔室盖,所述腔室盖包括第一气体注入口和一个或多个第二气体注入口并且密封所述反应空间;气体分配模块,所述气体分配模块安装在所述腔室盖中以面对所述基座并且连接至所述第一气体注入口和所述一个或多个第二气体注入口;第一源容器模块,所述第一源容器模块连接至所述第一气体注入口,用于提供具有第一蒸气压的第一源气体;第一载气供应模块,所述第一载气供应模块给所述第一源容器模块供应第一载气;第二源容器模块,所述第二源容器模块连接至所述第一气体注入口,用于提供具有与所述第一蒸气压不同的第二蒸气压的第二源气体;推动气体供应模块,所述推动气体供应模块给所述第二源容器模块与所述第一气体注入口之间的气体通路供应推动气体;反应气体供应模块,所述反应气体供应模块给所述一个或多个第二气体注入口供应反应气体;和吹扫气体供应模块,所述吹扫气体供应模块给所述第一气体注入口供应吹扫气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乐金显示有限公司,未经乐金显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910068162.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体构件的制造方法
- 下一篇:用于形成交联层的方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的