[发明专利]制造氧化物膜的设备和方法及包括该氧化物膜的显示设备

说明书

公开了一种制造氧化物膜的设备和方法及包括该氧化物膜的显示设备。其中包括具有不同蒸气压的多个有机金属的氧化物膜形成在基板上并且具有均匀的成分和厚度。该制造氧化物膜的设备包括：下部腔室；基座；腔室盖，其包括第一气体注入口和一个或多个第二气体注入口；气体分配模块；第一源容器模块，其连接至第一气体注入口，用于提供具有第一蒸气压的第一源气体；第一载气供应模块，其给第一源容器模块供应第一载气；第二源容器模块，其连接至第一气体注入口，用于提供具有与第一蒸气压不同的第二蒸气压的第二源气体；推动气体供应模块，其给第二源容器模块与第一气体注入口之间的气体通路供应推动气体；反应气体供应模块；和吹扫气体供应模块。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年2月14日提交的韩国专利申请No.10-2018-0018599的权益，通过引用将该申请并入于此，如同完全在此阐述一样。

技术领域

本公开内容涉及一种制造氧化物膜的设备和方法及包括该氧化物膜的显示设备。

背景技术

氧化物膜、有机金属氧化物膜或金属氧化物膜(下文中，每一个都称为氧化物膜)用作设置在显示设备、太阳能电池或半导体发光装置的基板上的钝化层、透明导电层或半导体层。氧化物膜通过溅射沉积方法或有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法形成在基板上。近来，正在对均匀控制沉积在基板上的氧化物膜的厚度和材料成分的MOCVD方法以及通过使用MOCVD方法制造氧化物膜的设备进行研究和开发。

相关技术的MOCVD方法给分别存储用于形成氧化膜的不同有机金属源材料的多个源供应设备供应相同的载气，并且将从多个源供应设备供应的多个源气体注入到反应室中，由此在基板上形成氧化物膜(专利文献1和专利文献2)。

然而，为了在具有与第五代基板(例如，1100mm×1250mm)对应的尺寸或更大尺寸的基板上沉积(或吸附)具有均匀的成分和厚度的氧化物膜，相关技术的MOCVD方法需要相对长时间的注入和吹扫源气体的工艺，因而，由于较低的沉积速度，生产率降低。由于该原因，难以将相关技术的MOCVD方法应用于制造大尺寸基板的工艺(特别是，制造显示设备的工艺)。

此外，用于形成氧化物膜的多个源气体的蒸气压具有不同的值。例如，多个源气体中的一些源气体具有几Torr至几十Torr的蒸气压，而其他源气体可具有几百Torr(1Torr＝101325/760Pa)的蒸气压。在通过将具有不同蒸气压的多个源气体中的每一个随着载气注入到反应室中来在基板上形成氧化物膜的情形中，难以精细控制注入到反应室中的多个源气体中的每一个的注入速率(或源流速)。例如，在通过使用相同的载气控制具有不同蒸气压的源气体中的每一个的注入速率的情形中，注入到反应室中的一个源气体的注入速率(或源流速)可与注入到此的另一源气体的注入速率差几百倍，由于该原因，不能均匀控制源气体的流速，特别是，不可能控制具有几百Torr的蒸气压的源气体的流速和/或密度。

因此，由于具有不同蒸气压的源气体的非均匀注入速率，形成在基板上的氧化物膜的成分或厚度是不均匀的。

[现有技术参考]

[专利文献]

1.韩国专利公开No.10-2015-0019623

2.韩国专利公开No.10-2010-0017554

发明内容

因此，本公开内容旨在提供一种其中基本上克服了由于相关技术的局限性和缺点而导致的一个或多个问题的制造氧化物膜的设备和方法及包括该氧化物膜的显示设备。

本公开内容的一方面旨在提供一种制造氧化物膜的设备和方法，其在基板上形成包括具有不同蒸气压的多个有机金属的氧化物膜，以具有均匀的成分和厚度。

本公开内容的另一方面旨在提供一种包括具有均匀的成分和厚度的氧化物膜的显示设备。