[发明专利]一种固溶体纳米线及其制备方法和用途有效
| 申请号： | 201910062837.1 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109706434B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 萨德·阿拉·简;郭北斗;宫建茹 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种固溶体纳米线及其制备方法和用途。本发明提供的固溶体纳米线为InP‑ZnSe固溶体纳米线。所述制备方法包括：(1)在衬底上覆盖催化剂，并对覆盖催化剂的衬底进行退火，得到退火衬底；(2)将InP和ZnSe的混合物置于一端封口一端开口的石英管的一侧，将退火衬底置于所述石英管的另一侧，将所述石英管置于反应炉中，抽真空后通入保护性气体，在加热条件下进行化学气相沉积反应，得到所述固溶体纳米线；其中，InP和ZnSe的混合物的温度高于退火衬底的温度。本发明提供的固溶体纳米线尺寸均匀，结晶度良好，迁移率高，带隙大小可调，可用于器件中，减少稀有金属In的使用量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 固溶体 纳米 及其 制备 方法 用途 | ||
【主权项】：
1.一种固溶体纳米线，其特征在于，所述固溶体纳米线为InP‑ZnSe固溶体纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国家纳米科学中心，未经国家纳米科学中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910062837.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
