[发明专利]锗硅HBT选择性外基区的注入方法在审
| 申请号： | 201910034192.0 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109755131A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 陈曦;黄景丰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅HBT选择性外基区的注入方法，在外基区注入之前，先淀积一层氧化膜，然后进行回刻，在外基区与外侧墙之间再形成侧墙，填充外基区与外侧墙之间的不规则间隙，然后进行外基区注入。在外基区注入时，保护住外基区与外侧墙之间区域的下层不被注入，降低基极‑集电极电容。 | ||
| 搜索关键词： | 外基区 外侧墙 锗硅 不规则间隙 集电极电容 氧化膜 侧墙 淀积 回刻 填充 下层 | ||
【主权项】：
1.一种锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：在外基区注入之前，先在外基区与外侧墙之间再形成侧墙，然后进行外基区注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910034192.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种功率器件制备方法及功率器件
- 下一篇：半导体装置以及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
