[发明专利]锗硅HBT选择性外基区的注入方法

权利要求书

1.一种锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：在外基区注入之前，先在外基区与外侧墙之间再形成侧墙，然后进行外基区注入。

2.如权利要求1所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的外基区注入，是不带掩膜版的大面积普注。

3.如权利要求1所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的锗硅HBT选择性外基区，是被抬高的外基区，其下方具有锗硅外延层。

4.如权利要求3所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述被抬高的外基区，以及外侧墙，在进行外基区普注时形成自对准结构；所述被抬高的外基区能降低基极电阻及基极-集电极电容。

5.如权利要求1所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的外侧墙在刻蚀形成之后，与外基区之间具有凹槽，形成一不规则间隙。

6.如权利要求1所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的不规则间隙，在进行外基区整体注入时，注入的杂质离子通过凹槽注入到下层中，使得外基区抬高的作用消失，提高了基极-集电极电容。

7.如权利要求1或5所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的侧墙，是形成于外基区与外侧墙之间，填充外基区与外侧墙之间的不规则间隙。

8.如权利要求1所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的侧墙，是先淀积一层氧化膜，然后进行回刻形成侧墙。

9.如权利要求1所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的侧墙，在外基区注入时，保护住外基区与外侧墙之间区域的下层不被注入，降低基极-集电极电容。

10.如权利要求1所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的外侧墙，是位于锗硅HBT的选择性外基区与多晶硅栅极之间的侧墙，将锗硅HBT的选择性外基区与多晶硅栅极进行隔离。

11.如权利要求9所述的锗硅HBT选择性外基区的注入方法，其特征在于：所述的外侧墙为ONO复合膜层构成的外侧墙。