[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910015645.5 | 申请日： | 2019-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN110610861A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 叶昕豪;黄靖宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，其公开用于在半导体装置中形成气体间隔物的方法及包括气体间隔物的半导体装置。在一实施例中，此方法可包括于基底上形成栅极堆叠，于栅极堆叠的多个侧壁上沉积第一栅极间隔物，于栅极堆叠的相对侧上外延生长多个源极/漏极区，于第一栅极间隔物上沉积第二栅极间隔物，以于第二栅极间隔物下形成气体间隔物。气体间隔物可横向地设置于源极/漏极区及栅极堆叠之间。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极间隔物 气体间隔 栅极堆叠 半导体装置 源极/漏极区 沉积 外延生长 侧壁 基底 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n于一基底上形成一栅极堆叠；/n于该栅极堆叠的多个侧壁上沉积一第一栅极间隔物；/n于该栅极堆叠的相对侧上外延生长多个源极/漏极区；以及/n于该第一栅极间隔物上沉积一第二栅极间隔物，以于该第二栅极间隔物下形成一气体间隔物，该气体间隔物横向地设置于该些源极/漏极区及该栅极堆叠之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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