[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，其公开用于在半导体装置中形成气体间隔物的方法及包括气体间隔物的半导体装置。在一实施例中，此方法可包括于基底上形成栅极堆叠，于栅极堆叠的多个侧壁上沉积第一栅极间隔物，于栅极堆叠的相对侧上外延生长多个源极/漏极区，于第一栅极间隔物上沉积第二栅极间隔物，以于第二栅极间隔物下形成气体间隔物。气体间隔物可横向地设置于源极/漏极区及栅极堆叠之间。

技术领域

本发明实施例涉及半导体集成电路的制造方法，特别涉及半导体装置及半导体装置的形成方法。

背景技术

半导体装置用于各种电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机及其他电子设备。通常通过于半导体基底上依序沉积材料的绝缘或介电层、导电层及半导体层以及使用光刻(lithography)图案化各种材料层，以于其上形成电路组件及元件来制造半导体装置。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸以持续改善各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器及电容等)的集成密度(integration density)，这允许更多组件整并到给定区域中。然而，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的额外问题。

发明内容

本发明的一些实施例提供半导体装置的形成方法，此方法包括于基底上形成栅极堆叠；于栅极堆叠的多个侧壁上沉积第一栅极间隔物；于栅极堆叠的相对侧上外延生长多个源极/漏极区；于第一栅极间隔物上沉积第二栅极间隔物，以于第二栅极间隔物下形成气体间隔物，气体间隔物横向地设置于源极/漏极区及栅极堆叠之间。

本发明的一些实施例提供半导体装置的形成方法，此方法包括于半导体基底上形成栅极堆叠；于栅极堆叠的多个侧壁上形成第一栅极间隔物；于第一栅极间隔物上形成虚设栅极间隔物；于与虚设栅极间隔物相邻的栅极堆叠的相对侧上形成多个外延源极/漏极区；蚀刻虚设栅极间隔物以于外延源极/漏极区及栅极堆叠之间形成凹陷；于凹陷上形成第二栅极间隔物，其中第二栅极间隔物的形成于凹陷内形成气体间隔物。

本发明的一些实施例提供半导体装置，此装置于半导体基底上的栅极堆叠；设置于栅极堆叠的多个侧壁上的第一栅极间隔物；设置于第一栅极间隔物的多个侧壁上的第二栅极间隔物；于半导体基底中的外延源极/漏极区；以及设置于第二栅极间隔物下的气体间隔物。

附图说明

通过以下的详细描述配合说明书附图，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。

图1示出根据一些实施例的三维视图中的鳍式场效晶体管(FinFET)的范例。

图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8A、图8B、图8C、图9A、图9B、图9C、图10A、图10B、图10C、图11A、图11B、图11C、图12A、图12B、图12C、图13A、图13B、图13C、图14A、图14B、图14C、图15A、图15B、图16A、图16B、图17A、图17B、图18A、图18B、图19A、图19B是根据一些实施例的制造鳍式场效晶体管的中间阶段的剖面图。

附图标记说明：

50～基底；

50A、50B～区域；

51～分隔符号；

52～鳍片；

54～绝缘材料；

56～浅沟槽隔离区域；

58～鳍片；

60～虚设介电层；

62～虚设栅极层；

64～遮罩层；