[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910011234.9 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN110854207A | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 和泉正人 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L29/36 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 高迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层和第2导电型的第3半导体层。第2半导体层及第3半导体层设置在第1半导体层上。第2半导体层具有将其一部分有选择地除去的凹槽部和将其包围的外缘部。第3半导体层在沿着第2半导体层的凹槽部与第1半导体层之间的第1边界的第1方向上与第2半导体层隔开配置。与第1边界交叉的第2方向上的第1边界附近的第2导电型杂质分布、和外缘部与第1半导体层之间的第2边界附近处的第2方向上的第2导电型杂质分布大致相同，第2边界附近处的第2方向上的第2导电型杂质分布和第1半导体层与第3半导体层之间的第3边界附近处的第2方向的第2导电型杂质分布大致相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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