[发明专利]半导体装置结构的形成方法在审
| 申请号： | 201910005239.0 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN110544669A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 杨挺立;黄伟立;杨胜斌;陈季丞;黄宏麟;古进誉;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 聂慧荃;闫华<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置结构的形成方法。此方法包含形成第一导线于基板之上。此方法包含形成第一保护盖于第一导线的第一部份之上。第一保护盖和第一导线由不同导电材料形成。此方法包含形成第一感光介电层于基板、第一导线、和第一保护盖之上。此方法包含形成第一开口于第一感光介电层中且于第一保护盖之上。此方法包含形成导通孔结构和第二导线于第一导线之上。导通孔结构位于第一开口中且于第一保护盖之上，并且第二导线位于导通孔结构和第一感光介电层之上。 | ||
| 搜索关键词： | 保护盖 感光介电层 导通孔 基板 开口 半导体装置结构 导电材料 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构的形成方法，包括：/n形成一第一导线于一基板之上；/n形成一第一保护盖于该第一导线的一第一部份之上，其中该第一保护盖和该第一导线由不同导电材料形成；/n形成一第一感光介电层于该基板、该第一导线、和该第一保护盖之上；/n形成一第一开口于该第一感光介电层中，其中该第一开口部分暴露出该第一保护盖；以及/n形成一导通孔结构和一第二导线于该第一导线之上，其中该导通孔结构位于该第一开口中，且该第二导线位于该导通孔结构和该第一感光介电层之上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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