[发明专利]光传感半导体单元、光传感半导体阵列及光感应系统有效
| 申请号： | 201910004530.6 | 申请日： | 2019-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN109904260B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 宇思洋 | 申请（专利权）人： | 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L27/144 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华新区民治*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光传感半导体单元，包括：具有第二导电类型的衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第四掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第四掺杂区，以及隔离所述第三掺杂区和所述第四掺杂区的隔离结构。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 传感 半导体 单元 阵列 感应 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光传感半导体单元，包括：具有第二导电类型的衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区和第三掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第四掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第四掺杂区，以及隔离所述第三掺杂区和所述第四掺杂区的隔离结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市环宇鼎鑫科技有限公司，未经深圳市环宇鼎鑫科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910004530.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双掺杂铜锌锡硫薄膜及其制备方法
- 下一篇：太阳电池组件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
