[发明专利]一种半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201880096930.8 | 申请日： | 2018-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112740417B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京布瑞知识产权代理有限公司 11505 | 代理人： | 孟潭 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其制造方法，解决了现有半导体结构的制造工艺复杂以及稳定性和可靠性差的问题。其中的半导体结构包括：依次叠加的沟道层(23)以及势垒层(24)，其中，所述势垒层(24)的上方定义有栅极区域；以及形成于所述栅极区域的p型半导体材料(3)，其中所述p型半导体材料(3)包括至少一种成分变化元素，所述成分变化元素的成分在外延方向上变化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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