[发明专利]碳化硅半导体器件在审
| 申请号： | 201880086427.4 | 申请日： | 2018-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN111602252A | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 内田光亮;日吉透 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/205;H01L21/316;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅半导体器件具有碳化硅衬底、栅极焊盘和漏电极。碳化硅衬底具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面。栅极焊盘面对第一主表面。漏电极与第二主表面接触。碳化硅衬底包括：构成第二主表面并且具有第一导电类型的第一杂质区；设置在第一杂质区上并且具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二杂质区；设置在第二杂质区上并且具有第一导电类型的第三杂质区；以及设置在第三杂质区上、构成第一主表面并且具有第二导电类型的第四杂质区。第一杂质区、第二杂质区、第三杂质区和第四杂质区中的每一个位于栅极焊盘和漏电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
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