[发明专利]具有平顶浮栅结构的存储器单元在审
| 申请号： | 201880084766.9 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN111542927A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | J·沃尔斯;M·海玛斯;S·达里亚纳尼 | 申请（专利权）人： | 微芯片技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28;H01L29/66;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器单元，例如闪存存储器单元，该存储器单元包括衬底、形成在衬底上方的平顶浮栅以及形成在平顶浮栅上方的平顶氧化物区域。平顶浮栅可具有侧壁，该侧壁具有在浮栅的顶角处限定锐角的大致凹形形状，这可改善存储器单元的编程或擦除效率。平顶浮栅和覆盖氧化物区域可在没有形成常规“足球氧化物”的浮栅热氧化的情况下形成。字线和单独的擦除栅可以形成在浮栅和氧化物区域上方。擦除栅与浮栅的重叠距离可显著大于字线与浮栅的重叠距离，这可以允许与浮栅耦合的编程和擦除独立进行优化。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平顶 结构 存储器 单元 | ||
【主权项】：
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