[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201880084382.7 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN111527612B | 公开（公告）日： | 2023-09-29 |
| 发明（设计）人： | 和田贡;松仓勇介;古泽优太 | 申请（专利权）人： | 日机装株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化物半导体发光元件，具备：多量子阱层；金属电极部，其反射向上方行进的第一光；以及多重半导体层，其位于多量子阱层与金属电极部之间，并包含多个p型半导体层，其中，第一光在金属电极部与多重半导体层的界面反射，且在至与朝向下方行进的第二光汇合为止的期间往返于多重半导体层的内部，多重半导体层具有使往返于多重半导体层的内部的第一光与第二光以相同相位汇合而从多量子阱层的下方侧出射的膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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