[发明专利]用于存储器写入辅助的电容性结构在审
| 申请号： | 201880083642.9 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN111542881A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 塔菲克·艾哈迈德;阿姆兰·戈什;基思·A·卡斯普拉克;里卡多·坎图 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;G11C11/412;G11C7/18 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 写入辅助电路(106)在写入操作期间改变诸如存储器单元(101)的存储器装置(100)的逻辑状态中，促进增加施加到所述存储器装置的电压。除了耦合到一对位线(113、114)中的一者的第一电容线结构(115)之外，所述写入辅助电路还包括第二电容线结构(116)或“金属电容结构(metal cap)”，可选择性地向所述位线施加电压。所述电容线结构向所述存储器装置提供增加的写入辅助。在一些实现方式中，所述第二电容线在结构上沿第二取向定位并且相对于所述第一电容线形成在集成电路的第二金属层中。附加电容线通过在写入操作期间选择性地将其对应位线驱动为负来提供负位线辅助。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储器 写入 辅助 电容 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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