[发明专利]针对RF应用的异质结双极晶体管中的发射极-基极网格结构在审
| 申请号： | 201880078600.6 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN111448665A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | R·达塔 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在某些方面，异质结双极晶体管(HBT)包括集电极台面(502)、集电极台面上的基极台面(504)以及基极台面上的发射极台面。发射极台面具有多个开口(510)。HBT还包括在连接到基极台面的多个开口中的多个基极金属(514)。 | ||
| 搜索关键词： | 针对 rf 应用 异质结 双极晶体管 中的 发射极 基极 网格 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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