[发明专利]针对RF应用的异质结双极晶体管中的发射极-基极网格结构

权利要求书

1.一种异质结双极晶体管(HBT)，包括：

集电极台面；

基极台面，在所述集电极台面上；

发射极台面，在所述基极台面上，其中所述发射极台面具有多个开口；以及

多个基极金属，在连接到所述基极台面的所述多个开口中。

2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管(HBT)，还包括被布置在所述发射极台面外部并连接到所述基极台面的外部基极金属，其中所述多个基极金属和所述外部基极金属电耦合。

3.根据权利要求2所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述外部基极金属被布置为围绕所述发射极台面。

4.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管(HBT)，还包括耦合到所述发射极台面的发射极金属。

5.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管(HBT)，还包括耦合到所述集电极台面的集电极金属。

6.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述多个开口中的每一个开口具有相同的尺寸。

7.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述多个开口中的每一个开口呈正方形形状。

8.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述多个开口是至少四个。

9.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述多个开口被布置为阵列。

10.根据权利要求9所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述多个开口被布置为2×2、3×3或3×1的阵列。

11.根据权利要求6所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述多个开口中的每一个开口呈六边形形状。

12.根据权利要求11所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述多个基极金属中的每一个基极金属呈六边形形状。

13.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述发射极台面与所述多个基极金属之间的间隔是所使用的工艺技术允许的最小尺寸。

14.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管(HBT)，其中所述基极台面的面积与所述发射极台面的面积之比小于1.8。

15.一种方法，包括：

提供包括集电极台面堆叠、基极台面堆叠和发射极台面堆叠的晶片；

将所述发射极台面堆叠图案化来形成具有多个开口的发射极台面；

在连接至所述基极台面堆叠的所述多个开口中提供多个基极金属；以及

将所述基极台面堆叠图案化来形成基极台面。

16.根据权利要求15所述的方法，还包括提供被布置在所述发射极台面的外部并且连接到所述基极台面的外部基极金属，其中所述多个基极金属和所述外部基极金属电耦合。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述外部基极金属被布置为围绕所述发射极台面。

18.根据权利要求15所述的方法，进一步包括提供耦合到所述发射极台面堆叠的发射极金属。

19.根据权利要求15所述的方法，进一步包括提供耦合到所述集电极台面堆叠的集电极金属。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述多个开口中的每一个开口具有相同的尺寸。