[发明专利]用于离轴移动的MEMS传感器补偿有效
| 申请号： | 201880073371.9 | 申请日： | 2018-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN111344575B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | I·古尔因;J·塞格尔;M·汤普森 | 申请（专利权）人： | 应美盛股份有限公司 |
| 主分类号： | G01P21/00 | 分类号： | G01P21/00;G01P15/13;G01P15/125;G01P15/08;B81B5/00;G01C19/5719 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 微机电系统(MEMS)传感器包括MEMS层，该MEMS层包括固定电极和可移动电极。响应于平面内线性加速度，可移动电极相对于固定电极移动，并且加速度基于所得的电容的变化来确定。多个辅助电极位于MEMS传感器的基板上并且在MEMS层下方，使得MEMS层和辅助负载之间的电容响应于MEMS层或其一部分的平面外移动而变化。MEMS传感器基于由辅助电极感测到的电容来补偿加速度值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 移动 mems 传感器 补偿 | ||
【主权项】：
暂无信息
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