[发明专利]用于介电膜的高功率脉冲磁控溅射物理气相沉积的脉冲直流源及应用方法在审
| 申请号： | 201880070573.8 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111279457A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 维加斯拉夫·巴巴扬;阿道夫·米勒·艾伦;巴加夫·西特拉;罗纳德·D·迪多尔;凡妮莎·法恩;华忠强;瓦贝哈夫·索尼;吴梦露 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H05H1/46;H01L21/67;C23C16/455;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用物理气相沉积处理形成介电膜层的设备和方法包括将溅射气体输送到位于处理腔室的处理区域中的基板，该处理腔室具有含电介质的溅射靶，输送能量脉冲到溅射气体产生溅射等离子体，溅射等离子体由能量脉冲所形成，能量脉冲具有在小于50kHz并且大于5kHz的频率下的在约800伏特和约2000伏特之间的平均电压和在约50安培和约300安培之间的平均电流，并且将溅射等离子体引导朝向含电介质的溅射靶以形成包含从含电介质的溅射靶溅射的电介质材料的电离物质，电离物质在基板上形成含电介质的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 介电膜 功率 脉冲 磁控溅射 物理 沉积 直流 应用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
