[发明专利]层叠基板的制造方法、制造装置以及程序在审
| 申请号： | 201880062261.2 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111133556A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 菅谷功;釜下敦;三石创;福田稔 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 金雪梅;王海奇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 将两个基板接合来制造层叠基板的制造方法包括：获取与多个基板的结晶结构相关的信息的获取阶段；以及基于与结晶结构相关的信息，决定相互接合的两个基板的组合的决定阶段。在上述制造方法中，也可以与结晶结构相关的信息包括接合面的面方位以及与接合面平行的方向的结晶方位中的至少一方。另外，在上述制造方法中，也可以在决定阶段中，决定两个基板的接合后的位置偏移量在预先决定的阈值以下的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 制造 方法 装置 以及 程序 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
