[发明专利]原子层研磨方法及其研磨装置在审
| 申请号： | 201880060065.1 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN111095503A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 崔镕燮;李康逸;石东篡;章守旭;金钟植;柳承烈 | 申请（专利权）人： | 韩国基础科学支援研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 葛强;王刚 |
| 地址： | 韩国大田*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种原子层研磨方法，上述原子层研磨方法包括：通过扫描试样的表面来测量上述试样表面的峰位置的步骤；将能够与作为上述试样的材料成分的第一原子键合的第一反应气体朝向上述所测量的峰位置喷射，来在上述峰的表面形成由上述第一反应气体与上述第一原子键合而成的第一反应气体层的步骤；以及向蒸镀有上述第一反应气体层的上述峰位置施加能量来从上述试样分离与上述第一反应气体键合的上述第一原子的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 研磨 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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