[发明专利]使用反应性气体前驱物从处理腔室选择性原位清洁高介电常数膜在审
| 申请号： | 201880058910.1 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN111066121A | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 翟羽佳;赵来;芮祥新;任东吉;元泰景;崔寿永 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
在一个实施方式中，提供一种用于清洁处理腔室的方法。所述方法包含将反应性物种引入具有残余的高介电常数介电材料的处理腔室中，所述残余的高介电常数介电材料形成在处理腔室的一个或多个内表面上。反应性物种由含卤素气体混合物形成，并且一个或多个内表面包括具有涂层材料形成在其上的至少一个表面。所述方法进一步包含使残余的高介电常数介电材料与反应性物种反应以形成挥发性产物。所述方法进一步包含从处理腔室去除挥发性产物。所述残余的高介电常数介电材料的去除速率大于涂层材料的去除速率。高介电常数介电材料选自二氧化锆(ZrO |
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| 搜索关键词： | 使用 反应 性气 前驱 处理 选择性 原位 清洁 介电常数 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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