[发明专利]用于基板的后侧沉积的系统和方法有效
| 申请号： | 201880049587.1 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN110945159B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 罗纳德·纳斯曼;赫里特·勒斯因克;罗德尼·罗宾森;姜浩英;丹尼尔·富尔福德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/458 | 分类号： | C23C16/458;C23C16/44;C23C16/46;C23C16/52;H01L21/02;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 刘雯鑫;杨林森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文的技术包括用于将薄膜沉积到晶片的后侧表面以减少晶片弯曲和晶片变形的处理室。基板支承件提供围绕晶片的底部和/或侧面的环形周边密封，该基板支承件允许大部分基板后侧暴露于处理环境。被支承的晶片将室分成提供不同处理环境的下室和上室。处理室的下区段包括被配置成施加和移除薄膜的沉积硬件。上区段可以保持化学惰性环境，保护晶片顶部表面上的现有特征。使用多个排气部和压力差来防止沉积气体接近晶片的工作表面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 系统 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
