[发明专利]在端子的脚部下方的金属化层中具有凹陷的功率半导体模块在审

专利信息
申请号: 201880046301.4 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN110945651A 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: M.马莱基;F.菲舍尔;D.特吕泽尔;R-A.吉耶曼;D.施奈德 申请(专利权)人: ABB电网瑞士股份公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;刘春元
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种功率半导体模块(10)包括:绝缘衬底(14),所述绝缘衬底(14)具有顶部金属化层(22);半导体芯片(40),所述半导体芯片(40)接合到顶部金属化层(22);以及端子(12),所述端子(12)利用脚部(28)焊接到顶部金属化层(22)并且电互连到半导体芯片(40)。顶部金属化层(22)和衬底(14)的与顶部金属化层(22)相对设置的底部金属化层(44)中的至少一个包括多个凹陷(34),所述多个凹陷(34)在焊接脚部(28)下方和/或在焊接脚部(28)周围分布在连接区域(32)中。
搜索关键词: 端子 部下 金属化 具有 凹陷 功率 半导体 模块
【主权项】:
暂无信息
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