[发明专利]具有低掺杂漏极的高功率化合物半导体场效应晶体管器件在审
| 申请号： | 201880045584.0 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110870076A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 杨斌;李夏;陶耿名;P·奇达巴拉姆 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/66;H01L29/778;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种化合物半导体场效应晶体管，包括沟道层(524)，在沟道层上的多层外延阻挡层(636、534b、638、534c、640、534d)。沟道层被布置在掺杂缓冲层(622)上，掺杂缓冲层被布置在未掺杂缓冲层(522)上。化合物半导体场效应晶体管还包括栅极(1454c)，该栅极在多层外延阻挡层的第一层(636)上，并且穿过多层外延阻挡层的第二层的部分之间的空间。化合物半导体场效应晶体管还可以包括电耦合到掺杂缓冲层(622)的体接触(1454)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 功率 化合物 半导体 场效应 晶体管 器件 | ||
【主权项】：
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