[发明专利]具有低掺杂漏极的高功率化合物半导体场效应晶体管器件

权利要求书

1.一种化合物半导体场效应晶体管，包括：

在沟道层上的多层外延阻挡层，所述沟道层在掺杂缓冲层上或在第一未掺杂缓冲层上；以及

栅极，在所述多层外延阻挡层的第一层上，并且穿过所述多层外延阻挡层的第二层的部分之间的空间。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，进一步包括电耦合到所述掺杂缓冲层或所述第一未掺杂缓冲层的体接触。

3.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，其中所述掺杂缓冲层包括P型掺杂缓冲层。

4.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，进一步包括在所述掺杂缓冲层上或在所述第一未掺杂缓冲层上的蚀刻停止层。

5.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，其中所述多层外延阻挡层的厚度随着距所述栅极的距离增加而逐步增加。

6.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，其中所述栅极和源极区之间的距离小于所述栅极和漏极区之间的距离。

7.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，其中所述多层外延阻挡层包括第三层、以及在所述第一层、所述第二层和所述第三层中的每一层之间的蚀刻停止层。

8.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，其中所述化合物半导体场效应晶体管包括高电子迁移率晶体管(HEMT)或赝晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)。

9.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，其中所述掺杂缓冲层或所述第一未掺杂缓冲层在第二未掺杂缓冲层上。

10.根据权利要求1所述的化合物半导体场效应晶体管，所述化合物半导体场效应晶体管被集成到功率放大器中。

11.根据权利要求10所述的化合物半导体场效应晶体管，其中所述功率放大器被结合到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理PDA、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一个中。

12.一种制造化合物半导体场效应晶体管的方法，包括：

外延生长掺杂缓冲层或第一未掺杂缓冲层；

在沟道层上形成多层外延阻挡层，所述沟道层在所述掺杂缓冲层上或在所述第一未掺杂缓冲层上；

蚀刻所述多层外延阻挡层，以暴露所述多层外延阻挡层的第一层；以及

在所述多层外延阻挡层的所述第一层上、并穿过所述多层外延阻挡层的第二层的部分之间的空间形成栅极。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括制造体接触和将所述体接触电耦合到所述掺杂缓冲层。

14.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

将所述化合物半导体场效应晶体管与功率放大器集成；以及

将所述功率放大器集成到无线收发器中，所述无线收发器被结合到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理PDA、固定位置数据单元、移动电话和便携式计算机中的至少一个中。

15.根据权利要求12所述的方法，其中所述掺杂缓冲层或所述第一未掺杂缓冲层外延生长在第二未掺杂缓冲层上。

16.一种射频(RF)前端模块，包括：

芯片，包括化合物半导体场效应晶体管，所述化合物半导体场效应晶体管包括沟道层和多层外延阻挡层，所述多层外延阻挡层在所述沟道层上，所述沟道层在掺杂缓冲层上或在第一未掺杂的缓冲层上，并且栅极在所述多层外延阻挡层的第一层上，并且穿过所述多层外延阻挡层的第二层的部分之间的空间；以及

天线，耦合到所述芯片的输出。