[发明专利]具有透明电流扩展层的半导体芯片有效
| 申请号: | 201880044111.9 | 申请日: | 2018-06-21 |
| 公开(公告)号: | CN110998873B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
| 发明(设计)人: | 坦森·瓦尔盖斯 | 申请(专利权)人: | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 丁永凡;张春水 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 提出一种半导体芯片(10),所述半导体芯片具有辐射可穿透的载体(1)、半导体本体(2)以及透明电流扩展层(3),其中半导体本体具有n侧半导体层(21)、p侧半导体层(22)以及处于其之间的光学有源区(23)。半导体本体借助于辐射可穿透的连接层(5)与载体固定。电流扩展层基于硒化锌并且邻接于n侧半导体层。此外,提出一种用于制造这种半导体芯片的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 透明 电流 扩展 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
暂无信息
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