[发明专利]具有透明电流扩展层的半导体芯片有效
| 申请号： | 201880044111.9 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN110998873B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 坦森·瓦尔盖斯 | 申请（专利权）人： | 欧司朗OLED股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 丁永凡;张春水 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 透明 电流 扩展 半导体 芯片 | ||
1.一种半导体芯片(10)，所述半导体芯片具有辐射可穿透的载体(1)、半导体本体(2)以及透明的电流扩展层(3)，其中
-所述半导体本体具有n侧半导体层(21)、p侧半导体层(22)以及处于其之间的光学有源区(23)，
-所述半导体本体借助于辐射可穿透的连接层(5)与所述载体固定，
-所述透明的电流扩展层基于硒化锌并且邻接于所述n侧半导体层，
-所述半导体芯片(10)构造为体积发射器，其中在所述半导体芯片运行中产生的电磁辐射能够经由所述半导体芯片的前侧(101)、后侧(102)以及侧面(103)耦合输出，以及
-所述半导体芯片具有另一辐射可穿透的电流扩展层(4)，其中所述另一辐射可穿透的电流扩展层邻接于所述p侧半导体层(22)。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中
-所述透明的电流扩展层(3)是n侧电流扩展层(3)，其具有背离所述载体(1)的带有耦合输出结构的结构化表面(31)，以及
-所述另一辐射可穿透的电流扩展层(4)是p侧电流扩展层，其具有带有耦合输出结构的结构化表面(41)。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中所述另一辐射可穿透的电流扩展层(4)基于GaP并且所述半导体芯片(10)不具有由AlGaAs或由InAlP制成的电流扩展层。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中所述半导体本体(2)基于III-V族半导体化合物材料，并且所述半导体芯片(10)不具有III-V族生长衬底。
5.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中所述载体(1)由电绝缘的材料形成并且具有背离所述半导体本体(2)的前侧(11)，其中所述前侧不具有所述半导体芯片的电端子。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中所述半导体本体(2)基于InGaP或InGaAlP并且所述半导体芯片不具有由InAlP制成的电流扩展层。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片，
其中
-所述另一辐射可穿透的电流扩展层(4)基于GaP，以及
-所述半导体芯片不具有由AlGaAs制成的电流扩展层。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片，
所述半导体芯片具有背离所述载体(1)的后侧(102)、第一接触层(61)和第二接触层(62)，其中
-所述第一接触层(61)和所述第二接触层(62)与所述半导体芯片的不同的电极性相关联并且设立用于所述半导体本体的电接触，并且其中
-所述第一接触层(61)在所述后侧上能够自由触及，并且所述第二接触层(62)至少局部地设置在所述半导体本体(2)与所述载体(1)之间并且邻接于所述连接层(5)，或者
-所述第二接触层(62)在所述后侧上能够自由触及，并且所述第一接触层(61)至少局部地设置在所述半导体本体(2)与所述载体(1)之间并且邻接于所述连接层(5)。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体芯片，
所述半导体芯片具有背离所述载体(1)的后侧(102)和用于所述n侧半导体层(21)的电接触的过孔(60)，其中
-所述透明的电流扩展层(3)设置在所述半导体本体(2)与所述连接层(5)之间，以及
-所述过孔从所述后侧(102)穿过所述p侧半导体层(22)以及所述有源区(23)延伸到所述n侧半导体层中，并且在此不与所述透明的电流扩展层(3)直接电接触。
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