[发明专利]半导体装置的制造方法及晶片粘合结构体在审
| 申请号： | 201880040660.9 | 申请日： | 2018-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN110785833A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 明田正俊;富士和则 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B23K26/53;B28D5/04;H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 11243 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 金成哲;郑毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置的制造方法包括：准备半导体晶片源的工序，该半导体晶片源包括一方侧的第一主面、另一方侧的第二主面、以及连接上述第一主面及上述第二主面的侧壁；元件形成工序，在上述半导体晶片源的上述第一主面设定多个元件形成区域，并在上述多个元件形成区域分别制作半导体元件；以及晶片源分离工序，在上述元件形成工序之后，通过从上述半导体晶片源的厚度方向中途部起沿着与上述第一主面平行的水平方向切断上述半导体晶片源，从而将上述半导体晶片源分离为元件形成晶片及元件未形成晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 主面 元件形成工序 元件形成区域 晶片 半导体元件 半导体装置 分离工序 元件形成 主面平行 中途部 侧壁 制作 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：/n准备半导体晶片源的工序，该半导体晶片源包括一方侧的第一主面、另一方侧的第二主面、以及连接上述第一主面及上述第二主面的侧壁；/n元件形成工序，在上述半导体晶片源的上述第一主面设定多个元件形成区域，并在上述多个元件形成区域分别制作半导体元件；以及/n晶片源分离工序，在上述元件形成工序之后，通过从上述半导体晶片源的厚度方向中途部起沿着与上述第一主面平行的水平方向切断上述半导体晶片源，从而将上述半导体晶片源分离为元件形成晶片及元件未形成晶片。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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