[发明专利]SOI晶圆的制造方法有效
| 申请号： | 201880038871.9 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110785830B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 阿贺浩司 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265;H01L21/324;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SOI晶圆的制造方法，其具有对SOI晶圆实施牺牲氧化处理而对SOI层进行减厚调节的工序，其特征在于，实施牺牲氧化处理的SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布，通过使用立式热处理炉，组合非旋转氧化及旋转氧化进行牺牲氧化处理的热氧化，由此以抵消SOI层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在SOI层的表面形成具有单侧流动形状的膜厚分布的热氧化膜，去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层的SOI晶圆。由此，提供一种SOI晶圆的制造方法，其通过对具有单侧流动形状的SOI层膜厚分布的SOI晶圆实施牺牲氧化处理，使SOI晶圆具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层。 | ||
| 搜索关键词： | soi 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，具有对SOI晶圆实施将SOI层表面热氧化并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，从而对所述SOI晶圆的SOI层进行减厚调节的工序，该方法中：/n将实施所述牺牲氧化处理的SOI晶圆设为所述SOI层具有以特定的方向倾斜的单侧流动形状的膜厚分布的晶圆，/n通过使用具有使晶圆表面以水平方向旋转的结构的立式热处理炉，组合不旋转所述SOI晶圆而进行热氧化的非旋转氧化和边旋转所述SOI晶圆边进行热氧化的旋转氧化，进行所述牺牲氧化处理中的热氧化，/n由此，以抵消所述SOI层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在所述SOI层的表面形成具有单侧流动形状的氧化膜厚分布的热氧化膜，/n去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层的SOI晶圆。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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