[发明专利]SOI晶圆的制造方法

权利要求书

1.一种SOI晶圆的制造方法，其特征在于，具有对SOI晶圆实施将SOI层表面热氧化并去除所形成的热氧化膜的牺牲氧化处理，从而对所述SOI晶圆的SOI层进行减厚调节的工序，该方法中：

将实施所述牺牲氧化处理的SOI晶圆设为所述SOI层具有以特定的方向倾斜的单侧流动形状的膜厚分布的晶圆，

预先使用具有使晶圆表面以水平方向旋转的结构的立式热处理炉，使用监测晶圆进行非旋转氧化，并测定由非旋转氧化产生的氧化膜厚分布，

通过使用具有使所述晶圆表面以水平方向旋转的结构的立式热处理炉，组合不旋转所述SOI晶圆而进行热氧化的非旋转氧化和边旋转所述SOI晶圆边进行热氧化的旋转氧化，进行所述牺牲氧化处理中的热氧化，

由此，以抵消所述SOI层的单侧流动形状的膜厚分布的方式，在所述SOI层的表面形成具有单侧流动形状的氧化膜厚分布的热氧化膜，

去除该形成的热氧化膜，从而制造具有单侧流动形状的膜厚分布被消除的SOI层的SOI晶圆。

2.根据权利要求1所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，作为所述牺牲氧化处理中的热氧化，在进行所述非旋转氧化后进行所述旋转氧化。

3.根据权利要求1或2所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，通过施加用于使利用离子注入剥离法而在离子注入层剥离的SOI层表面平坦化的平坦化热处理，制作所述SOI层具有单侧流动形状的膜厚分布的所述SOI晶圆。

4.根据权利要求1或2所述的SOI晶圆的制造方法，其特征在于，利用使用了不具备晶圆旋转结构的热处理炉的平坦化热处理，形成所述SOI层具有以特定的方向倾斜的单侧流动形状的膜厚分布的所述SOI晶圆。