[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880037249.6 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110731013B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H01L21/336;H10B43/27;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种每单位面积的存储容量大的半导体装置。本发明是一种包括存储晶体管的半导体装置，存储晶体管包括具有开口的导电体、以与开口的内侧面接触的方式设置的第一绝缘体、以与第一绝缘体的内侧接触的方式设置的第二绝缘体、以与第二绝缘体的内侧接触的方式设置的第三绝缘体、以与第三绝缘体的内侧接触的方式设置的第一氧化物、以及以与第一氧化物的内侧接触的方式设置的第二氧化物，第二氧化物的能隙比第一氧化物的能隙窄。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于：/n包括存储晶体管，/n所述存储晶体管包括：/n具有开口的导电体；/n以与所述开口的内侧面接触的方式设置的第一绝缘体；/n以与所述第一绝缘体的内侧接触的方式设置的第二绝缘体；/n以与所述第二绝缘体的内侧接触的方式设置的第三绝缘体；/n以与所述第三绝缘体的内侧接触的方式设置的第一氧化物；以及/n以与所述第一氧化物的内侧接触的方式设置的第二氧化物，/n所述第二氧化物的能隙比所述第一氧化物的能隙窄。/n
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