[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880037249.6 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN110731013B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H01L21/336;H10B43/27;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 程晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于：
包括存储晶体管，
所述存储晶体管包括：
具有开口的导电体；
以与所述开口的内侧面接触的方式设置的第一绝缘体；
以与所述第一绝缘体的内侧接触的方式设置的第二绝缘体；
以与所述第二绝缘体的内侧接触的方式设置的第三绝缘体；
以与所述第三绝缘体的内侧接触的方式设置的第一氧化物；以及
以与所述第一氧化物的内侧接触的方式设置的第二氧化物，
所述第二氧化物的能隙比所述第一氧化物的能隙窄。
2.一种半导体装置，其特征在于：
包括存储晶体管，
所述存储晶体管包括：
具有开口的导电体；
以与所述开口的内侧面接触的方式设置的第一绝缘体；
以与所述第一绝缘体的内侧接触的方式设置的第二绝缘体；
以与所述第二绝缘体的内侧接触的方式设置的第三绝缘体；
以与所述第三绝缘体的内侧接触的方式设置的第一氧化物；
以与所述第一氧化物的内侧接触的方式设置的第二氧化物；以及
以与所述第二氧化物的内侧接触的方式设置的第三氧化物，
所述第二氧化物的能隙比所述第一氧化物的能隙窄，
所述第二氧化物的能隙比所述第三氧化物的能隙窄。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一氧化物及所述第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一氧化物中的相对于In的元素M的原子个数比大于所述第二氧化物中的相对于In的元素M的原子个数比。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
还包括基体，
在所述基体上包括多个所述存储晶体管，
在垂直于所述基体所具有的一个面的方向上层叠设置有所述多个存储晶体管。
6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
所述第一绝缘体为包含硅、铝及铪中的任一个的氧化物。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
所述第三绝缘体为包含硅、铝及铪中的任一个的氧化物。
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：
所述存储晶体管还包括第四绝缘体，
所述第四绝缘体以与所述第三氧化物的内侧接触的方式设置。
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