[发明专利]具有低电阻率碳合金的晶体管在审
| 申请号： | 201880034609.7 | 申请日： | 2018-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110663116A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 陆叶;鲍军静;杨斌;戈立新;岳云 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L29/66 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管可包括第一半导体结构和位于第一半导体结构上的栅极堆叠。栅极堆叠可包括位于第一半导体结构上的栅极介电层、位于栅极介电层上的功函材料和位于栅极堆叠的功函材料上的栅极金属填充材料。栅极金属填充材料可包括低电阻率碳合金。介电填充材料可包括在栅极堆叠上。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极堆叠 半导体结构 栅极介电层 填充材料 栅极金属 功函 互补金属氧化物半导体 介电填充材料 低电阻率 碳合金 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种互补金属氧化物半导体CMOS晶体管，包括：/n第一半导体结构；/n栅极堆叠，位于所述第一半导体结构上，包括：/n栅极介电层，位于所述第一半导体结构上，/n功函材料，位于所述栅极介电层上，和/n栅极金属填充材料，包括低电阻率碳合金，位于所述栅极堆叠的所述功函材料上；以及/n介电填充材料，位于所述栅极堆叠上。/n
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