[发明专利]具有检测器二极管和结终端结构的X射线传感器在审
申请号: | 201880032667.6 | 申请日: | 2018-03-26 |
公开(公告)号: | CN110637377A | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 米特克·巴科夫斯基·霍尔特里德;马茨·丹尼尔松;许成 | 申请(专利权)人: | 棱镜传感器公司 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115;H01L27/146;H01L29/06 |
代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘彬 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 瑞典;SE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种X射线传感器(21),具有有源检测器区域,该有源检测器区域包括在传感器的第一侧的多个检测器二极管(22),并且结终端(23)布置在传感器的第二对侧。通常,这意味着结终端(23)从有源检测器区域所在的顶侧移动到传感器的底侧,允许利用检测器二极管到传感器的最边缘来充分利用顶侧处的有源检测器区域。 | ||
搜索关键词: | 检测器区域 传感器 检测器二极管 结终端 顶侧 移动 | ||
【主权项】:
1.一种X射线传感器(21),具有有源检测器区域,所述有源检测器区域包括在所述传感器的第一侧的多个检测器二极管(22),其中,在所述传感器的第二对侧放置结终端(23)。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于棱镜传感器公司,未经棱镜传感器公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201880032667.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光伏器件封装
- 下一篇:用于量子计算的阴影掩模侧壁隧道结
- 同类专利
- 一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器及制备方法-201911124457.2
- 王林;郭万龙;郭程;陈效双;陆卫 - 中国科学院上海技术物理研究所
- 2019-11-18 - 2020-02-14 - H01L31/115
- 本发明公开了一种室温超短沟道硒化铂太赫兹探测器及制备方法。器件结构自下而上依次为:第一层是衬底、第二层是氧化层、第三层是硒化铂以及搭在硒化铂上的非对称的蝶形天线和天线两侧的金属电极。器件制备步骤是将机械剥离的硒化铂转移到氧化层上,用紫外光刻方法和倾角蒸镀工艺制备非对称的蝶形天线和金属电极,形成硒化铂太赫兹探测器。太赫兹光照射时,赛贝克电动势驱动硒化铂内载流子定向运动,实现室温快速的太赫兹的探测。该探测器具有高速、宽频、高响应、高稳定性等优点,可以在室温下对树叶进行无电离损伤成像,也可以对封装在纸袋中的金属钥匙透射成像,为实现室温太赫兹探测器广泛应用奠定基础。
- 石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹探测器及其制作方法-201910865062.1
- 杨冬晓;王畅;林时胜;陆阳华;胡欣怡 - 浙江大学
- 2019-09-09 - 2020-02-11 - H01L31/115
- 本发明公开了一种石墨烯/三氧化二铝/砷化镓太赫兹光电探测器及其制作方法。在N型砷化镓衬底上自下而上依次有三氧化二铝绝缘层、石墨烯层,并设有第一电极以及边电极;制备方法是先在N型掺杂的砷化镓片上制作边电极及三氧化二铝绝缘层,将石墨烯转移到三氧化二铝上,使得石墨烯/三氧化二铝/砷化镓接触形成隧穿异质结;再在石墨烯上制作第一电极,得到石墨烯/三氧化二铝/砷化镓光电探测器。本发明的太赫兹光电探测器通过异质结的隧穿效应进一步优化了其器件性能,暗态电流低,且对太赫兹波段具有极高的响应度与探测度,器件工艺简单。
- 具有检测器二极管和结终端结构的X射线传感器-201880032667.6
- 米特克·巴科夫斯基·霍尔特里德;马茨·丹尼尔松;许成 - 棱镜传感器公司
- 2018-03-26 - 2019-12-31 - H01L31/115
- 提供了一种X射线传感器(21),具有有源检测器区域,该有源检测器区域包括在传感器的第一侧的多个检测器二极管(22),并且结终端(23)布置在传感器的第二对侧。通常,这意味着结终端(23)从有源检测器区域所在的顶侧移动到传感器的底侧,允许利用检测器二极管到传感器的最边缘来充分利用顶侧处的有源检测器区域。
- 双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器-201920425005.7
- 李正;熊波 - 湖南正芯微电子探测器有限公司
- 2019-04-01 - 2019-12-13 - H01L31/115
- 本实用新型公开了一种双面阴极螺旋环渐变式硅漂移探测器,渐变形探测器单元正面和渐变形探测器单元背面位于高阻硅基底相对的两平面上;渐变形探测器单元正面包括第一渐变式P+阴极螺旋环和嵌于其内的N+收集阳极,第一渐变式P+阴极螺旋环由正面圆形区域、正面渐变区域和正面方形区域组成;渐变形探测器单元背面包括第二渐变式P+阴极螺旋环,第二渐变式P+阴极螺旋环由背面圆形区域、背面渐变区域和背面方形区域组成;第二渐变式P+阴极螺旋环中心设有中间电极。正面渐变区域和背面渐变区域均由圆形渐变为方形,且两者方形四角指向圆形的区域相邻两P+阴极螺旋环间设有弧长渐变的悬浮中间电极。减小了探测器阵列的死区面积。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的