[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201880026725.4 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN110546767B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 内藤达也 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/336;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，其具备：半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；晶体管部，其设置于半导体基板；相邻元件部，其设置于半导体基板，并且沿预先设定的排列方向与晶体管部排列，晶体管部和相邻元件部这两者都具有：第二导电型的基区，其在半导体基板的内部设置于漂移区的上方；多个沟槽部，其从半导体基板的上表面贯穿基区并在半导体基板的上表面沿与排列方向垂直的延伸方向延伸且在内部设置有导电部；第一下表面侧寿命控制区域，其在半导体基板的下表面侧从晶体管部连续地设置到相邻元件部，并包含寿命控制剂，在俯视半导体基板时，第一下表面侧寿命控制区域在排列方向上设置于整个晶体管部和相邻元件部的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；/n晶体管部，其设置于所述半导体基板；以及/n相邻元件部，其设置于所述半导体基板，并且沿预先设定的排列方向与所述晶体管部排列；/n所述晶体管部和所述相邻元件部这两者都具有：/n第二导电型的基区，其在所述半导体基板的内部设置在所述漂移区的上方；/n多个沟槽部，其从所述半导体基板的上表面贯穿所述基区，在所述半导体基板的上表面沿与所述排列方向垂直的延伸方向延伸，并且在内部设置有导电部；以及/n包含寿命控制剂的第一下表面侧寿命控制区域，其在所述半导体基板的下表面侧，从所述晶体管部起连续地设置到所述相邻元件部，/n在俯视所述半导体基板时，所述第一下表面侧寿命控制区域在所述排列方向上设置在整个所述晶体管部和所述相邻元件部的一部分。/n
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