[发明专利]用于远程等离子体监测的光学发射光谱仪(OES)

摘要

本申请描述了用于使用远程等离子体来蚀刻基板的方法和系统。远程激发的蚀刻剂被形成在远程等离子体中，并通过喷头流入基板处理区域以蚀刻基板。从基板正上方的基板处理区域获取光学发射光谱。光学发射光谱可用于确定蚀刻的终点，确定蚀刻速率或以其他方式表征蚀刻工艺。弱等离子体可存在于基板处理区域中。弱等离子体可能相较于远程等离子体具有低得多的强度。在蚀刻工艺中于基板上方不使用偏压等离子体的情况下，可以在靠近基板处理区域一侧所设置的视口附近点燃弱等离子体以表征蚀刻剂。

主权项

1.一种蚀刻基板的方法，所述方法包括以下步骤：/n将所述基板放置在基板处理腔室的基板处理区域中；/n使含氟前驱物流入远程等离子体区域，其中由喷头将所述远程等离子体区域与所述基板处理区域隔离；/n在所述远程等离子体区域中形成具有远程等离子体功率的远程等离子体；/n从所述远程等离子体区域中的所述远程等离子体中的所述含氟前驱物产生等离子体流出物；/n使所述等离子体流出物流过所述喷头进入所述基板处理区域；/n利用所述等离子体流出物蚀刻所述基板；/n在所述基板处理区域中形成具有局部等离子体功率的局部等离子体；以及/n通过固定至所述基板处理腔室的一侧的视口来获取光学发射光谱，并形成所述基板处理区域的边界；其中所述光学发射光谱将强度表示为光学波长的函数，且利用光学发射光谱仪获取所述光学发射光谱。/n