[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡膜有效

申请号：	201880023914.6	申请日：	2018-02-13
公开（公告）号：	CN110520963A	公开（公告）日：	2019-11-29
发明（设计）人：	游正义;萨曼莎·坦;姜瑜;吴晖荣;理查德·怀斯;潘阳;内德·莎玛;鲍里斯·沃洛斯基	申请（专利权）人：	朗姆研究公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/768;H01L21/306;H01L21/027;H01L21/67
代理公司：	31263 上海胜康律师事务所	代理人：	樊英如;张华<国际申请>=PCT/US2
地址：	美国加利***	国省代码：	美国;US
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摘要：	在半导体器件制造中，氧化锡膜用作间隔物和硬掩模。在一种方法中，在衬底上的突出特征的侧壁和水平表面上共形地形成氧化锡层。然后在侧壁上的氧化锡上形成钝化层，氧化锡然后从突出特征的水平表面去除，而不在突出特征的侧壁处去除。然后去除突出特征的材料，同时留下驻留在突出特征的侧壁处的氧化锡，从而形成氧化锡间隔物。基于氢的干蚀刻化学物质和基于氯的干蚀刻化学物质用于在各种材料存在下选择性地蚀刻氧化锡。在另一种方法中，通过在未图案化的氧化锡上形成图案化的层并将图案转移到氧化锡上而在衬底上形成图案化的氧化锡硬掩模层。
搜索关键词：	氧化锡突出特征图案化去除化学物质水平表面侧壁处干蚀刻间隔物侧壁衬底半导体器件制造蚀刻图案转移氧化锡层氧化锡膜硬掩模层驻留钝化层硬掩模共形
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【主权项】：

1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：/n(a)提供具有多个突出特征的半导体衬底，所述突出特征具有水平表面和侧壁；/n(b)在所述突出特征的所述水平表面和所述侧壁上形成氧化锡层；/n(c)在所述突出特征的所述侧壁处的所述氧化锡层上形成钝化层；以及/n(d)在形成所述钝化层之后，从所述突出特征的所述水平表面蚀刻并完全去除氧化锡，从而暴露出所述突出特征的材料，而不完全去除驻留在所述突出特征的所述侧壁处的氧化锡。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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