[发明专利]垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法在审
| 申请号： | 201880022603.8 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110574168A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 拉尔斯-埃里克·维纳森;奥利-佩卡·基尔皮 | 申请（专利权）人： | C2安培有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华;赵金强 |
| 地址： | 瑞典*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 提出了一种垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及一种形成垂直MOSFET的方法。该MOSFET包括：顶部接触部；底部接触部；纳米线(602)，该纳米线在该顶部接触部与该底部接触部之间形成电荷传输通道；以及包围该纳米线(602)圆周的包绕式栅极(650)，该包绕式栅极(650)具有在该纳米线(602)的纵向方向上跨越该纳米线(602)的一部分的延伸部，其中，该包绕式栅极(650)包括栅极部分(614)以及用于控制该电荷传输通道中的电荷传输的场板部分(616)，并且其中，该场板部分(616)布置在距该纳米线(602)的中心的第一径向距离(636)处，并且该栅极部分(614)布置在距该纳米线(602)的中心的第二径向距离(634)处；其特征在于，该第一径向距离(636)大于该第二径向距离(634)。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米线 径向距离 包绕 电荷传输通道 场板 场效应晶体管 氧化物半导体 垂直金属 电荷传输 延伸部 垂直 包围 | ||
【主权项】：
1.一种垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：/n顶部接触部；/n底部接触部；/n纳米线(602)，该纳米线在该顶部接触部与该底部接触部之间形成电荷传输通道；以及/n包围该纳米线(602)圆周的包绕式栅极(650)，该包绕式栅极(650)具有在该纳米线(602)的纵向方向上跨越该纳米线(602)的一部分的延伸部，其中，该包绕式栅极(650)包括栅极部分(614)以及用于控制该电荷传输通道中的电荷传输的场板部分(616)，并且其中，该场板部分(616)布置在距该纳米线(602)的中心的第一径向距离(636)处，并且该栅极部分(614)布置在距该纳米线(602)的中心的第二径向距离(634)处；/n其特征在于，该第一径向距离(636)大于该第二径向距离(634)。/n
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