[发明专利]垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成的方法在审

申请号：	201880022603.8	申请日：	2018-05-08
公开（公告）号：	CN110574168A	公开（公告）日：	2019-12-13
发明（设计）人：	拉尔斯-埃里克·维纳森;奥利-佩卡·基尔皮	申请（专利权）人：	C2安培有限公司
主分类号：	H01L29/423	分类号：	H01L29/423;H01L21/336;H01L29/775;H01L29/06
代理公司：	11021 中科专利商标代理有限责任公司	代理人：	王新华;赵金强
地址：	瑞典***	国省代码：	瑞典;SE
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摘要：
搜索关键词：	纳米线径向距离包绕电荷传输通道场板场效应晶体管氧化物半导体垂直金属电荷传输延伸部垂直包围
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【权利要求书】：

1.一种垂直金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，包括：

顶部接触部；

底部接触部；

纳米线(602)，该纳米线在该顶部接触部与该底部接触部之间形成电荷传输通道；以及

包围该纳米线(602)圆周的包绕式栅极(650)，该包绕式栅极(650)具有在该纳米线(602)的纵向方向上跨越该纳米线(602)的一部分的延伸部，其中，该包绕式栅极(650)包括栅极部分(614)以及用于控制该电荷传输通道中的电荷传输的场板部分(616)，并且其中，该场板部分(616)布置在距该纳米线(602)的中心的第一径向距离(636)处，并且该栅极部分(614)布置在距该纳米线(602)的中心的第二径向距离(634)处；

其特征在于，该第一径向距离(636)大于该第二径向距离(634)。

2.根据权利要求1所述的垂直MOSFET(600)，其中，该纳米线(602)的材料成分沿着该纳米线(602)的纵向方向变化。

3.根据权利要求2所述的垂直MOSFET，其中，该纳米线(602)的材料成分沿着该纳米线(602)的纵向方向逐渐变化。

4.根据权利要求2所述的垂直MOSFET，其中，该纳米线(602)的材料成分沿着该纳米线(602)的纵向方向被分段。

5.根据权利要求2-4中任一项所述的垂直MOSFET，其中，该纳米线(602)的材料成分变化，使得该纳米线(602)的带隙在邻近该场板部分(616)处比在邻近该栅极部分(614)处要大。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的垂直MOSFET，其中，该纳米线(602)的材料成分包括In_xGa_1-xAs。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的垂直MOSFET，其中，该包绕式栅极(650)包括高k电介质。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的垂直MOSFET，其中，该纳米线(602)的径向延伸部在该栅极部分(614)处比在该场板部分(616)处要小。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的垂直MOSFET，其中，该纳米线(602)具有在2.5nm至25nm范围内的径向延伸部。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的垂直MOSFET，其中，该栅极部分(614)具有在该纳米线(602)的纵向方向上的在10nm至500nm范围内的延伸部，并且其中，该场板部分(616)具有在该纳米线(602)的纵向方向上的在10nm至1000nm范围内的延伸部。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的垂直MOSFET，其中，该第一径向距离(636)与该第二径向距离(634)之间的比率在1.1至5的范围内。

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