[发明专利]半导体晶圆容器有效
| 申请号： | 201880022482.7 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110582843B | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 西岛正敬;广濑贤一;詹姆士·克利斯提 | 申请（专利权）人： | 阿基里斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;B65D85/30 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;霍玉娟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体晶圆容器。一种半导体晶圆容器，其沿上下方向重叠两个呈大致平面并且同一形状的外壳来收纳一片半导体晶圆，其中，所述外壳除了其主体以外还具有晶圆保持机构以及外壁形成机构，所述晶圆保持机构是用于实质上非接触地对晶圆的上下表面进行容纳且固定保持的机构，所述晶圆保持机构具有：倾斜面，其形成于从下侧以线接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的上表面；晶圆接触面，其形成于从上侧以面接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的下表面；以及浅底空隙部，其形成于外壳的上下两表面的各自的中央部，且能够容纳晶圆的上半部分或者下半部分，所述外壁形成机构具有垂下部，所述垂下部形成于外壳的下表面的外周缘，以便在沿上下方向重叠两个外壳来收纳半导体晶圆时形成在所容纳的半导体晶圆的外侧闭合的外壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 容器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆容器，其沿上下方向重叠两个呈大致平面并且同一形状的外壳来收纳一片半导体晶圆，其中，/n所述外壳除了其主体以外还具有晶圆保持机构以及外壁形成机构，/n所述晶圆保持机构是用于实质上非接触地对晶圆的上下表面进行容纳且固定保持的机构，所述晶圆保持机构具有：倾斜面，其形成于从下侧以线接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的上表面；晶圆接触面，其形成于从上侧以面接触方式来与半导体晶圆的外周缘接触的外壳的下表面；以及浅底空隙部，其形成于外壳的上下两表面的各自的中央部，且能够容纳晶圆的上半部分或者下半部分，/n所述外壁形成机构具有垂下部，所述垂下部形成于外壳的下表面的外周缘，以便在沿上下方向重叠两个外壳来收纳半导体晶圆时形成在所容纳的半导体晶圆的外侧闭合的外壁。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
