[发明专利]III族氮化物半导体基板在审
| 申请号： | 201880019839.6 | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110431258A | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 后藤裕辉;石原裕次郎 | 申请（专利权）人： | 古河机械金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 陈曦;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 根据本发明，提供一种III族氮化物半导体基板(自支撑基板(30))，其由III族氮化物半导体晶体构成，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，在室温条件下，照射波长为325nm、输出为10mW以上且40mW以下的氦‑镉(He‑Cd)激光，以面积1mm2为单位进行成像(mapping)的光致发光(PL，photoluminescence)测定中的所述第一主表面和第二主表面各自的发光波长的变动系数均为0.05％以下，所述变动系数是通过以发光波长的标准偏差除以发光波长的平均值来算出的。如果在该自支撑基板(30)上制作器件，可抑制器件间的品质的偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 主表面 发光波长 自支撑基板 变动系数 半极性面 光致发光 室温条件 抑制器件 照射波长 成像 激光 输出 制作 | ||
【主权项】：
1.一种III族氮化物半导体基板，其中，其由III族氮化物半导体晶体构成，处于正背关系的露出的第一主表面和第二主表面均为半极性面，在室温条件下，照射波长为325nm、输出为10mW以上且40mW以下的氦‑镉激光，以面积1mm2单位进行成像的光致发光测定中的所述第一主表面和第二主表面各自的发光波长的变动系数均为0.05％以下。
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